陶瓷介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

陶瓷介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀GDAT-A

陶瓷介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀GDAT-A技術(shù)指標(biāo) 
1．Q值測(cè)量
a．Q值測(cè)量范圍：5～999。
b．Q值量程分檔：30、100、300、999、自動(dòng)換檔。
c．標(biāo)稱誤差
頻率范圍：25kHz～10MHz；
固有誤差：≤5%±滿度值的2%；工作誤差：≤7%±滿度值的2%；
頻率范圍：10MHz～50MHz；
固有誤差：≤7%±滿度值的2%；工作誤差：≤10%±滿度值的2%。
2．電感測(cè)量
a．測(cè)量范圍：0.1μH～1H。
b．分 檔：分七個(gè)量程。
0.1～1μH， 1～10μH， 10～100μH，
0.1～lmH， 1～10mH， 10～100mH， 100 mH～1H。
3．電容測(cè)量
a．測(cè)量范圍：1～460pF(460pF以上的電容測(cè)量見(jiàn)使用規(guī)則)；
b．電容量調(diào)節(jié)范圍
主調(diào)電容器：40～500pF；
準(zhǔn) 確 度：150pF以下±1.5pF；150pF以上±1%；
微調(diào)電容量：－3pF～0～+3pF；
準(zhǔn) 確 度：±0.2pF。
4．振蕩頻率
a．振蕩頻率范圍：25kHz～50MHz；
b．頻率分檔：
25～74kHz， 74～213kHz， 213-700kHz， 700kHz～1.95MHz，
1.95MHz～5.2MHz， 5.2MHz～17MHz， 17～50MHz。
c．頻率誤差：2×10±1個(gè)字。
5．Q合格指示預(yù)置功能，預(yù)置范圍：5～999。
6．儀器正常工作條件
a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃；
b．相對(duì)濕度：<80%；
c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。
7．試樣尺寸
圓片形：厚度2+0.5mm，直徑為Φ30~40mm（ε<12時(shí)），Φ25~35mm（ε=12~30時(shí)），Φ15~20mm（ε>30時(shí)）
8．其他
a．消耗功率：約25W；
b．凈重：約7kg；
c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。

陶瓷介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀GDAT-A一個(gè)高品質(zhì)因數(shù)（Q)的電感器是測(cè)量系統(tǒng)*的輔助工具，關(guān)乎測(cè)試的靈敏度和精度，在系統(tǒng)中它與平板電容（BH916）構(gòu)成了基于串聯(lián)諧振的測(cè)試回路。本系統(tǒng)推薦的電感器為LKI-1電感組共由9個(gè)高性能電感器組成，以適配不同的檢測(cè)頻率。

陶瓷介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀GDAT-A概述
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制，測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定，諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索，Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換，數(shù)值顯示等新技術(shù)，改進(jìn)了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低，并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時(shí)更為方便，測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。

GDAT-A基于串聯(lián)諧振原理的《GDAT高頻Q表》是測(cè)試系統(tǒng)的二次儀表，其數(shù)碼化主調(diào)電容器的創(chuàng)新設(shè)計(jì)代表了行業(yè)的zui高成就，隨之帶來(lái)了頻率、電容雙掃描GDAT的全新搜索功能。該表具有*人機(jī)界面，采用LCD液晶屏顯示各測(cè)量因子：Q值、電感L、主調(diào)電容器C、測(cè)試頻率F、諧振趨勢(shì)指針等。高頻信源采用直接數(shù)字合成,測(cè)試頻率10KHz-60MH或200KHz-160MHz，頻率精度高達(dá)1×10-6。國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006規(guī)定了用Q表法來(lái)測(cè)定電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)，把被測(cè)材料作為平板電容的介質(zhì)，與輔助電感等構(gòu)成串聯(lián)諧振因子引入Q表的測(cè)試回路，以獲取zui高的測(cè)試靈敏度。因而Q表法的測(cè)試結(jié)果更真實(shí)地反映了介質(zhì)在高頻工作狀態(tài)下的特征。GDAT高頻Q表的全數(shù)字化界面和微機(jī)控制使讀數(shù)清晰穩(wěn)定、操作簡(jiǎn)便。操作者能在任意點(diǎn)頻率或電容值的條件下檢測(cè)Q值甚至tanδ，無(wú)須關(guān)注量程和換算，*摒棄了傳統(tǒng)Q表依賴面板上印制的輔助表格操作的落后狀況，它無(wú)疑是電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)測(cè)量的理想工具。

GDAT-A《BH916介質(zhì)損耗裝置》(測(cè)試夾具)是測(cè)試系統(tǒng)的核心檢測(cè)部件，它由一個(gè)LCD數(shù)字顯示的微測(cè)量裝置和一對(duì)經(jīng)精密加工的、間距可調(diào)的平板電容器極片組成。平板電容器極片用于夾持被測(cè)材料樣品，微測(cè)量裝置則顯示被測(cè)材料樣品的厚度。通過(guò)被測(cè)材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時(shí)的Q值變化的量化，測(cè)得絕緣材料的損耗角正切值。從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。BH916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置是本公司研制的更新?lián)Q代產(chǎn)品，精密的加工設(shè)計(jì)、精確的LCD數(shù)字讀出、一鍵式清零功能，克服了機(jī)械刻度讀數(shù)誤差和圓筒形電容裝置不可避免的測(cè)量誤差。

GDAT-A數(shù)據(jù)采集和tanδ自動(dòng)測(cè)量控件（裝入GDAT)，實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)分析和計(jì)算的微處理化，tanδ 測(cè)量結(jié)果的獲得無(wú)須繁瑣的人工處理，因而提高了數(shù)據(jù)的精確度和測(cè)量的同一性，是人工讀值和人工計(jì)算*的。

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